K4F8E304HB-MGCJ是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的动态随机存取存储器(DRAM)产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 无线网卡、 电子空气净化器、 路由器、 智能音箱、 人脸识别设备 ，动态随机存取存储器(DRAM)与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4F8E304HB-MGCJ
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：动态随机存取存储器(DRAM)
- 参数：封装:TFBGA-200
应用场景
动态随机存取存储器(DRAM)可应用场景，如 智能插座、 音响系统、 电动车、 智能手表、 人脸识别设备、 微处理器、 电子翻译器、 不间断电源（UPS） 等，想要了解更多动态随机存取存储器(DRAM)相关内容知识，可以关注我们。
选型表
