NCE01P13K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子广告牌、 音频信号处理器、 实验室离心机、 人脸识别设备、 热水器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01P13K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 3D打印机、 烤箱、 频谱分析仪、 整流器、 电动自行车、 MP3播放器、 移动硬盘、 电子空气净化器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCE6050KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
