SI2301-TP是品牌MCC美微科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 复印机、 笔记本电脑、 功放设备、 视频线材、 LCD显示屏 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI2301-TP
- 品牌：美微科(MCC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道增强型场效应晶体管
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 实验室离心机、 频谱分析仪、 指纹识别器、 调制解调器、 电动车充电器、 固态硬盘、 平板电脑、 电子阅读器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SI2302-TP | MOS管 N-channel Id=3A VDS=20V SOT23-3 |
| SI3402-TP | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.3W |
| MCQ9435-TP | MOSFETs P-channel VDS=30V ID=5.1A SOP8_150MIL |
| SI2307-TP | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.12.7A 功率(Pd)：1.1W |
| SI2305B-TP | MOSFET P-沟道 20V 4.2A SOT23 |
| SI2301-TP | P沟道增强型场效应晶体管 |
| BSS138-TP | 50V 220mA 3.5Ω@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23-3 |
| BSS138AKDW-TP | 双N沟道MOSFET VDS=50V ID=0.22A PD=0.35W SOT363 |
| SI3401A-TP | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：400mW |
| 2SK3018-TP | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：0.2W |
