Name: SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2365EDS-T1-GE3 型号参数

SI2365EDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数字信号处理器（DSP）、 LED显示器、频谱分析仪、电子搅拌器、现场可编程门阵列（FPGA），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如心电图仪、智能安防摄像头、电子湿度计、电子门锁、摄像头、频谱分析仪、指纹识别器、电子除湿机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
2N7002K-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=0.3A SOT23
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8