Name: SIS402DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS402DN-T1-GE3 型号参数

SIS402DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防监控系统、单片机、移动硬盘、电子琴、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如门禁系统、烤箱、手机、交换机、 MP3播放器、移动硬盘、电动车、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7148DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=11mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
IRFRC20PBF	表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3