Name: SI4909DY-T1-GE3_Vishay_威世_SOT96-1_MOSFETs
Brand: Vishay

SI4909DY-T1-GE3 型号参数

SI4909DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、电动车充电器、空调、可编程逻辑控制器（PLC）、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如汽车电子控制系统、投影仪、电子体温计探头、 GPS定位器、电饭煲、显示器、电子空气净化器、蓝牙耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI2304DDS-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=3.3A SOT23
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V