Name: SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA923EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如射频连接器、音频功率放大器、电子搅拌器、电子按摩器、电子翻译器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如音频线材、汽车、电动自行车、频谱分析仪、不间断电源（UPS）、调音台、 GPS定位器、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SI3443CDV-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP9240PBF	MOS管 P-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=500mΩ@10V TO247AC
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V