Name: SQ2310ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SQ2310ES-T1_GE3 型号参数

SQ2310ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、 MP3播放器、手机充电器、专用集成电路（ASIC）、视频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子翻译器、烤箱、无线网卡、电动工具、电子血压计袖带、复印机、功放设备、信号发生器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRFP250PBF	通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23