Name: SQ2362ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SQ2362ES-T1_GE3 型号参数

SQ2362ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子白板、智能照明系统、调制解调器、摄像头、变压器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如交换机、扬声器、电动自行车充电器、蓝牙音箱、 USB闪存盘、电子手表、机器人、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIS443DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3