SMUN5313DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

SMUN5313DW1T1G 型号参数

SMUN5313DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、电动自行车充电器、电子血压手环、人脸识别设备、电子体温计探头，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

带预偏置三极管可应用场景，如数字信号处理器（DSP）、摩托车、电子血压计、心电图仪、电子罗盘、电路板、投影仪、触摸屏等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2111LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23
MUN5335DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23