TK100E08N1,S1X(S是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子净水器、 血糖仪、 无人机、 固态硬盘、 门禁系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：TK100E08N1,S1X(S
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 汽车、 GPS定位器、 遥控器、 3D打印机、 电子门禁卡、 投影仪、 网络适配器、 扬声器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
| T2N7002AK,LM | MOSFET N-CH 60V 0.2A |
| TK100E08N1,S1X(S | MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220 |
| SSM3K15AFS,LF(B | 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III） |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM6N56FE,LM | VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J132TU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3 |
