UF630G-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能音箱、 电路板、 示波器、 电子血压手环、 指纹识别器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：UF630G-TN3-R
- 品牌：友顺(UTC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子琴、 笔记本电脑、 X光机、 集成电路板、 汽车电子控制系统、 计算机、 虚拟现实头盔、 安防监控系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| UF630G-TN3-R | 200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2 |
| UT3N06G-AE3-R | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23 |
| UTM6016G-SO8-R | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252 |
| UT4421G-SO8-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W |
| UTT10NP06G-S08-R | MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8 |
| 12P10L-TN3-R | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2 |
| UT9435HG-AA3-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W |
| UT2955G-AA3-R | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W |
| UTD408L-TN3-R | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252 |
| 7NM65G-TN3-R | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W |
