W25N04KVZEIR是品牌WINBOND华邦，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 音频信号处理器、 虚拟现实头盔、 触摸屏、 射频连接器、 电动车充电器 ，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：W25N04KVZEIR
- 品牌：华邦(WINBOND)
- 分类：NAND FLASH
- 参数：封装:WSON-8(6x8) 存储容量:4Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us
应用场景
NAND FLASH可应用场景，如 电动车充电器、 电子琴、 摄像机、 固态硬盘、 电子脱毛器、 集成电路板、 视频线材、 电子血压计袖带 等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| W29N02KVSIAF | 封装:TSOPI-48 存储容量:2Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns 页写入时间(TPP):250us |
| W25N02KVZEIR | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us |
| W25N04KVZEIR | 封装:WSON-8(6x8) 存储容量:4Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us |
| W25N01GVZEIG | 封装:WSON-8-EP(6.1x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us |
| W29N01HVSINA | 封装:TSOPI-48 存储容量:1Gbit 工作电压:2.7V~3.6V 写周期时间(TW):25ns 页写入时间(TPP):250us |
| W25N01GVZEIG | 封装:WSON-8-EP(6.1x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):250us |
| W25Q128JVEIQ TR | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:128Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):200us |
