2SK3569_Toshiba_东芝_TO220F_MOSFETs

Name: 2SK3569_Toshiba_东芝_TO220F_MOSFETs
Brand: Toshiba

2SK3569 型号参数

2SK3569是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、话筒（麦克风）、电子罗盘、音频功率放大器、固态硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机充电器、电动自行车控制器、逆变器、数码相机、音响设备、微波炉、逻辑分析仪、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA

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