ES2DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管

Name: ES2DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

ES2DB 型号参数

ES2DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、电子白板、音频功率放大器、 MP3播放器、实验室离心机，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子气压计、万用表、血糖仪、视频线材、电子门禁卡、电子秤、 RFID读写器、整流器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
MUR460	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES1J	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
RS1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
FR207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
MUR4100	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.8V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
RS2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A

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