US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

Name: US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

US2M 型号参数

US2M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、手机、智能安防摄像头、 X光机、电子阅读器，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子门锁、稳压电源、逻辑分析仪、指纹识别器、扫地机器人、投影仪、电子净水器、烤箱等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES1D	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
FR207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
UF4007	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A

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