GD5F1GQ5REYFGR_GigaDevice_兆易创新_WSON8EP_NAND FLASH

Name: GD5F1GQ5REYFGR_GigaDevice_兆易创新_WSON8EP_NAND FLASH
Brand: GigaDevice

GD5F1GQ5REYFGR 型号参数

GD5F1GQ5REYFGR是品牌GigaDevice兆易创新，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逆变器、电子咖啡机、电动自行车、电源供应器、万用表，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

NAND FLASH可应用场景，如智能手机、射频连接器、电子除湿机、电子广告牌、示波器、电子白板、 LED显示器、电子手表等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GD5F1GQ5UEYIGY	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):400us
GD5F1GQ5REYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.7V~2V 页写入时间(TPP):400us
GD5F1GQ5REYFGR	封装:WSON-8-EP(6x8)
GD5F2GM7UEYIGR	封装:WSON-8(8x6) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us
GD9AU2G8F2AMGI	封装:TSOPI-48
GD25LQ32EEIGR	封装:USON-8-EP(2x3) 存储容量:32Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.65V~2V 页写入时间(TPP):400us
GD5F2GQ5UEYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us
GD5F1GQ5UEYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us

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