GD9AU2G8F2AMGI_GigaDevice_兆易创新_TSOPI48_NAND FLASH

Name: GD9AU2G8F2AMGI_GigaDevice_兆易创新_TSOPI48_NAND FLASH
Brand: GigaDevice

GD9AU2G8F2AMGI 型号参数

GD9AU2G8F2AMGI是品牌GigaDevice兆易创新，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如心电图仪、电子秤、扫描仪、智能手机、现场可编程门阵列（FPGA），NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

NAND FLASH可应用场景，如交换机、扫描仪、电子词典、电子助听器、电子签到系统、电子体温计探头、电子秤、电子白板等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GD5F2GM7UEYIGR	封装:WSON-8(8x6) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us
GD5F1GQ5UEYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us
GD9AU2G8F2AMGI	封装:TSOPI-48
GD25LQ32EEIGR	封装:USON-8-EP(2x3) 存储容量:32Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.65V~2V 页写入时间(TPP):400us
GD5F1GQ5UEYIGY	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):400us
GD5F2GQ5UEYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us
GD5F1GQ5REYIGR	封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.7V~2V 页写入时间(TPP):400us
GD5F1GQ5REYFGR	封装:WSON-8-EP(6x8)

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