IRF1310NPBF_Infineon_英飞凌_TO220AB_MOSFETs

Name: IRF1310NPBF_Infineon_英飞凌_TO220AB_MOSFETs
Brand: Infineon

IRF1310NPBF 型号参数

IRF1310NPBF是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如整流器、话筒（麦克风）、 OLED显示屏、电饭煲、 MRI扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如模拟信号处理器（ASP）、烟雾报警器、光纤连接器、频谱分析仪、内存条、烤箱、电子计算器、摄像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BSS169IXTSA1	N 沟道耗尽型小信号晶体管，用于 SOT-23-3 封装的工业和消费应用
BSP318SH6327	表面贴装型 N 通道 60 V 2.6A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
IPP072N10N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA;
IRF9540NPBF	MOSFETs Vbr=100V Pd=140W DIP TO220AB Id=23A P-Channel
IRF7324TRPBF	双P通道
IRFP4468PBF	MOS管 N-channel Id=0.29A VDS=100V TO-247AC
BSC010NE2LSATMA1	MOSFETs N-Channel VDS=225V VGS=±20V ID=242mA RDS(ON)=1.3Ω@4.5V PGTDSON8
IRF7313TRPBF	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.5A 2W 表面贴装型 8-SO
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;
IRFR1205TRPBF	表面贴装型 N 通道 55 V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak

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