MUN5111DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

Name: MUN5111DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5111DW1T1G 型号参数

MUN5111DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、 CT扫描仪、调制解调器、微处理器、智能手机，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如网络适配器、液晶显示器、功放器、电子体温计探头、气体报警器、电子脱毛器、投影仪、调制解调器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2232LT1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN5235DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23

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