NCE3050K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 射频连接器、 音响设备、 智能音箱、 USB闪存盘、 电子手表 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE3050K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 蓝牙耳机、 触摸屏、 内存条、 机械硬盘、 微处理器、 气体报警器、 固态硬盘、 显卡 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE30P30K | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W |
| NCE7190A | N沟道 漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE6045G | MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP026N10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
