NCE30P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 音频功率放大器、 微处理器、 固态硬盘、 心电图仪、 功放设备 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30P30K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 不间断电源（UPS）、 安防摄像头、 电子驱蚊器、 电子空气净化器、 电子按摩器、 电动自行车控制器、 扫描仪、 洗衣机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
| NCE60P50K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W |
| NCEP4045GU | NCEP4045GU |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE7560K | N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE6045XG | |
