NCE60P50K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 微处理器、 烤箱、 RFID读写器、 电磁炉、 电子榨汁机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P50K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子气压计、 功放设备、 数字信号处理器（DSP）、 USB闪存盘、 蓝牙耳机、 电子琴、 网卡、 电子翻译器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
| NCE65T540F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W |
| NCE6005AR | N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
