NCE65T360K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE65T360K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T360K 型号参数

NCE65T360K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制器、电子签到系统、移动硬盘、电子驱蚊器、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子白板、电动车充电器、电动工具、电子书阅读器、视频线材、电子阅读器、电子按摩器、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F

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