NCE65T360K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子助听器、 蓝牙耳机、 LED照明灯、 智能手机、 扫地机器人 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T360K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电饭煲、 模拟信号处理器（ASP）、 智能手表、 电子手表、 电子血压计、 电子净水器、 蓝牙音箱、 现场可编程门阵列（FPGA） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W |
| NCE0103M | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE0224K | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE0140KA | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
