NCEP072N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP072N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP072N10 型号参数

NCEP072N10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如专用集成电路（ASIC）、 LED显示器、复印机、话筒（麦克风）、电子驱蚊器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能门锁、微处理器、电路板、饮水机、笔记本电脑、电子血压计袖带、交换机、机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE6045XG
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W

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