NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 扫地机器人、 空调、 摩托车、 无线网卡、 调音台 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE80H12D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能手表、 专用集成电路（ASIC）、 安防摄像头、 视频线材、 无人机、 红外感应器、 电动车、 B超机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCEP4090GU | NCEP4090GU |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE30H12 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCE65T540F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W |
