NCE6080K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 逻辑分析仪、 微波炉、 饮水机、 计算机、 电子体重秤 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE6080K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子体温计探头、 红外感应器、 微处理器、 固态硬盘、 血糖仪、 电子体重秤、 门禁系统、 不间断电源（UPS） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCEP1520K | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W |
| NCE3400X | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3 |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
