NCE3400X是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 OLED显示屏、 智能家居控制系统、 计算机、 电子血压计袖带、 RFID读写器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE3400X
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 扫地机器人、 电子按摩器、 MRI扫描仪、 智能照明系统、 吸尘器、 万用表、 路由器、 电子助听器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
| NCE8295AD | MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L |
| NCE3020Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE30ND09S | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W |
| NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
