NTR4101PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

NTR4101PT1G 型号参数

NTR4101PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、蓝牙耳机、投影仪、整流器、电子除螨仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
NDS0610	表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
NTMFS5C612NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

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