SI2347DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2347DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2347DS-T1-GE3 型号参数

SI2347DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、集成电路板、路由器、音响设备、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如触摸屏、 CT扫描仪、电子美容仪、频谱分析仪、血糖仪、智能手表、摄像机、模拟信号处理器（ASP）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
IRFR014TRLPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak

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