SI2347DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2347DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

SI2347DS-T1-GE3 型号参数

SI2347DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频功率放大器、智能手机、 MP3播放器、逆变器、电子脱毛器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机充电器、电视机、耳机、声卡、气体报警器、电动车、游戏机、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2319DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220

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