SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs

Name: SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIE808DF-T1-E3 型号参数

SIE808DF-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如整流器、吸尘器、摩托车、现场可编程门阵列（FPGA）、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如指纹识别器、安防监控系统、电子词典、气体报警器、电源供应器、手机充电器、 OLED显示屏、射频连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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