SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs

Name: SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K123TU,LF 型号参数

SSM3K123TU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如直流电源、烟雾报警器、指纹识别器、手机充电器、光纤连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如洗衣机、专用集成电路（ASIC）、电子词典、频谱分析仪、智能插座、 GPS定位器、游戏机、电源供应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）

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