SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs

Name: SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K123TU,LF 型号参数

SSM3K123TU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 OLED显示屏、直流电源、网卡、电子罗盘、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如红外感应器、智能家居控制器、智能插座、液晶显示器、电子气压计、电子按摩器、耳机、扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

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