SSM3J332R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子琴、 电子体重秤、 人脸识别设备、 交换机、 安防监控系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3J332R,LF(T
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 游戏机、 USB闪存盘、 电子血压计、 人脸识别设备、 3D打印机、 交流电源、 吸尘器、 集成电路板 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| TK100E08N1,S1X(S | MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220 |
| SSM3K37MFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3K341R,LF | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F |
| SSM3K15AFS,LF(B | 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III） |
| SSM3K35MFV(TPL3) | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM3J132TU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3 |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
