SSM3J332R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

Name: SSM3J332R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3J332R,LF(T 型号参数

SSM3J332R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如空调、笔记本电脑、电子游戏机手柄、实验室离心机、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、 X光机、手机、数字信号处理器（DSP）、打印机、安防摄像头、微处理器、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）

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