SSM3J356R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 变压器、 电子书阅读器、 电子助听器、 血糖仪、 LED显示器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3J356R,LF
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 调音台、 台式电脑主机、 电子除螨仪、 电子血压计袖带、 摄像机、 摄像头、 扫地机器人、 功放设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3K341R,LF | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F |
| SSM3K35MFV(TPL3) | High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications |
| SSM6N56FE,LM | VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS |
| SSM3J46CTB(TPL3) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3K15AFS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| TPH3R70APL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 |
| TK100E08N1,S1X(S | MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220 |
