SSM6N56FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666_MOSFETs

Name: SSM6N56FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM6N56FE,LM 型号参数

SSM6N56FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、扬声器、智能手机、专用集成电路（ASIC）、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子搅拌器、蓝牙音箱、智能门锁、热水器、声卡、固态硬盘、电子血压计、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F

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