TPH3R70APL_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

TPH3R70APL,L1Q 型号参数

TPH3R70APL,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子游戏机手柄、光纤连接器、 RFID读写器、电动自行车控制器、音响系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP

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