SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

Name: SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K345R,LF 型号参数

SSM3K345R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、数字信号处理器（DSP）、 LED照明灯、路由器、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子助听器、电子加湿器、打印机、频谱分析仪、 X光机、视频线材、摄像机、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA

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