SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

Name: SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K345R,LF 型号参数

SSM3K345R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如冰箱、电子书阅读器、虚拟现实头盔、音响系统、气体报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响系统、交流电源、游戏机、手机、专用集成电路（ASIC）、音频功率放大器、蓝牙耳机、 USB闪存盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA

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