SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3K345R,LF 型号参数

SSM3K345R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手环、射频连接器、智能插座、内存条、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA

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