SSM3K35AMFV,L3F是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 交流电源、 电饭煲、 功放设备、 USB闪存盘、 电磁炉 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3K35AMFV,L3F
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子白板、 不间断电源（UPS）、 复印机、 移动硬盘、 MP3播放器、 电视机、 触摸屏、 虚拟现实头盔 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2SK3476(TE12L,Q | MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A |
| SSM3J338R,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F |
| SSM3J46CTB(TPL3) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3K341R,LF | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F |
| SSM3K37MFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| TPH3R70APL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM3K37FS,LF | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3K35AMFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA |
| 2SK3569 | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
