SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs

Name: SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM6N35FE,LM 型号参数

SSM6N35FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、可编程逻辑控制器（PLC）、 GPS定位器、电子门锁、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如功放设备、调音台、虚拟现实头盔、电子助听器、烤箱、射频连接器、数码相机、耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F

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