WNM2016A-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WNM2016A-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM2016A-3/TR 型号参数

WNM2016A-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防监控系统、音响设备、音频线材、音频功率放大器、手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子按摩器、逆变器、电子手表、无人机、手机、 MP4播放器、电子计算器、智能门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A

型号相关

热门型号