WNM6002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs

Name: WNM6002-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-323_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM6002-3/TR 型号参数

WNM6002-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、电子词典、遥控器、冰箱、电子广告牌，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、单片机、电子气压计、 B超机、网卡、吸尘器、电子签到系统、数字信号处理器（DSP）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323

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