WPM2081-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WPM2081-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPM2081-3/TR 型号参数

WPM2081-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、调制解调器、电子温度计、 GPS定位器、数字信号处理器（DSP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子琴、液晶显示器、红外感应器、电子门禁卡、实验室离心机、电子按摩器、无人机、电子血压计袖带等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPM1481-6/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM3008-3/TR	单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道

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