WNM2077-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-723-3_MOSFETs

Name: WNM2077-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-723-3_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM2077-3/TR 型号参数

WNM2077-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、网络适配器、 GPS定位器、手机充电器、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动工具、电子净水器、路由器、电饭煲、单片机、摄像头、视频线材、门禁系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA

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