WPM1481-6/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 路由器、 气体报警器、 网卡、 烤箱、 智能手机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WPM1481-6/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子血压计袖带、 智能照明系统、 固态硬盘、 示波器、 音频功率放大器、 电动自行车充电器、 液晶显示器、 电子搅拌器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM3018-3/TR | 小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET |
| WNM4002-3/TR | MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA |
| WPM3005-3/TR | MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L |
| WNM3013-3/TR | MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW |
| WPM2341A-3/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W |
| WNM2021-3/TR | MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323 |
| WNM2077-3/TR | 功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723 |
| WPM1481-6/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W |
