WNM2046C-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 汽车电子控制系统、 微波炉、 扫地机器人、 频谱分析仪、 电子门禁卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM2046C-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、 逆变器、 信号发生器、 电子词典、 内存条、 电磁炉、 热水器、 智能手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM4153-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW |
| WPM2081-3/TR | 单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23 |
| WNM3008-3/TR | 单n通道，30V, 3.1A，功率MOSFET |
| WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WPM2019-3/TR | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 |
| WNM6002-3/TR | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323 |
| WNM2021-3/TR | MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323 |
| WPM3407-3/TR | MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3 |
| WNM2016-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A |
