WPM2019-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-523-3_MOSFETs

WPM2019-3/TR 型号参数

WPM2019-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微波炉、电子除螨仪、可编程逻辑控制器（PLC）、计算机、电子按摩器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：WPM2019-3/TR
品牌：韦尔(WILLSEMI)
分类：MOSFETs
参数：功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道

型号	参数
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W

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