WPM2015-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WPM2015-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WPM2015-3/TR 型号参数

WPM2015-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、电源供应器、手机、频谱分析仪、智能音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响系统、平板电脑、红外感应器、音频功率放大器、调音台、 DVD播放器、电子胎心监测仪、 USB闪存盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WNM4002-3/TR	MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
WNM2046C-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW
WNM2077-3/TR	功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A

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