WSD2075DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

Name: WSD2075DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSD2075DN 型号参数

WSD2075DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、光纤连接器、射频连接器、实验室离心机、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如实验室离心机、显卡、智能照明系统、电子门锁、功放器、交流电源、扫地机器人、电子血压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSD3075DN56	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A
WSD1614DN	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：550mW DFN1X0.6-3L
WST3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.9A RDS(ON)=130mΩ@4.5V SOT23N
WSK96N08	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=9mΩ@10V TO263
WSP4067	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=7.5A,5.5A RDS(ON)=21mΩ,38mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD3045DN	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A,15.3A RDS(ON)=10.5mΩ,24mΩ@10V
WSP8205	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=27mΩ@10V TSSOP8
WSD20L50DN	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=50A RDS(ON)=11mΩ@4.5V
WST2337A	P沟道漏源电压(Vdss)：15V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：1.4W
WSD3028DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=25mΩ@10V

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