AP30H50Q是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、 网络适配器、 逆变器、 LCD显示屏、 智能手机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AP30H50Q
- 品牌：铨力(ALLPOWER)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：30W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 直流电源、 汽车电子控制系统、 指纹识别器、 显示器、 调制解调器、 电动自行车控制器、 手机、 智能家居控制器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AP2012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W |
| AP4008QD | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W |
| AP4910GD | N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-40A 功率(Pd)：45W |
| AP3404 | N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A |
| AP15N10K | MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V |
| AP4435C | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W |
| AP3401 | P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A |
| AP2012 | 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W |
| AP3908QD | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W |
| AP2316 | N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A |
