AP3N1R8MT是品牌APEC富鼎，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、 平板电脑、 调制解调器、 电路板、 气体报警器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AP3N1R8MT
- 品牌：富鼎(APEC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 复印机、 OLED显示屏、 热水器、 电子脱毛器、 调制解调器、 智能家居控制系统、 电子签到系统、 电子加湿器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AP9575GH | MOSFETS P-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=15A RDS(ON)=120mΩ@4.5V TO252 |
| AP9977GH | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252 |
| AP15P10GH-HF | P通道增强模式 |
| AP3N1R8MT | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6 |
| AP2310GN | SOT23 1.38W |
| AP95T07GP-HF | N沟道增强型功率MOSFET |
| AP9997GK | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W |
| AP2P053N | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W |
| AP2306GN | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23 |
| AP10P500N | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W |
